Transistörler - IGBT - Tekil

GPA025A120MN-ND

IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
GPA025A120MN

GPA025A120MN-ND Hakkında

SemiQ GPA025A120MN-ND, 1200V kollektör-emitter gerilim ile çalışan NPT ve Trench tipi IGBT transistörüdür. Maksimum 50A sürekli akım (pulsed olarak 75A) kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350nC gate charge ve 480ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği sergiler. Maksimum 312W güç dağıtımı kapabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel motor kontrol, UPS sistemleri, güç kaynakları ve trafolar gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu ürün Obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 75 A
Gate Charge 350 nC
IGBT Type NPT and Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 312 W
Reverse Recovery Time (trr) 480 ns
Supplier Device Package TO-3PN
Switching Energy 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 57ns/240ns
Test Condition 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok