Transistörler - IGBT - Tekil
GPA020A135MN-FD
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPA020A135MN
GPA020A135MN-FD Hakkında
GPA020A135MN-FD, SemiQ tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 1350V collector-emitter breakdown voltajı ve 40A maksimum collector akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) pakette sunulan bu bileşen, 223W maksimum güç yönetebilir ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 2.3V on-state voltajı (15V gate, 20A collector akımında) ve 180nC gate charge değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Ön kenar zamanlama 25ns, arka kenar zamanlama 175ns olup, ters kurtarma süresi 425ns'dir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücüleri ve diğer yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 180 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 223 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 425 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 2.5mJ (on), 760µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/175ns |
| Test Condition | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok