Transistörler - IGBT - Tekil
GPA020A120MN-FD
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPA020A120MN
GPA020A120MN-FD Hakkında
GPA020A120MN-FD, SemiQ tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 40A sürekli akım ve 60A pulse kapasitesiyle tasarlanmış olup, maksimum 223W güç dağıtabilir. TO-3P-3 (SC-65-3) kapsülde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5V Vce(on) değeri ile iletim kaybı düşüktür. 30ns açılış ve 150ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 210nC gate charge değeri sürücü devre tasarımında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları ve invertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Cihaz şu anda üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 210 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 223 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 425 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 2.8mJ (on), 480µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/150ns |
| Test Condition | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok