Transistörler - IGBT - Tekil
GPA015A120MN-ND
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GPA015A120MN
GPA015A120MN-ND Hakkında
SemiQ GPA015A120MN-ND, 1200V çalışma voltajında maksimum 30A collector akımı kapasitesine sahip NPT ve Trench teknolojisini birleştiren yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 212W güç disipasyonu ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25ns açılış ve 166ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, elektrik motor kontrolü, güç kaynakları, kaynak makineleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.5V Vce(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlayan bileşen, 210nC gate charge ile sürücü devresi taleplerini minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 210 nC |
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 212 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 320 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 1.61mJ (on), 530µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/166ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok