Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

GP3D050A120B

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
TO-247-2
Seri / Aile Numarası
GP3D050A120B

GP3D050A120B Hakkında

GP3D050A120B, SemiQ tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 50A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-2 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V forward voltage @ 50A ile düşük enerji kaybı sağlar. Sıfır reverse recovery time özelliği ile yüksek frekans switching uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında stabil çalışma sunması, endüstriyel ve otomotiv güç elektroniği devrelerinde geniş kullanım alanı bulunmasını sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 3040pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 50A
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 1200 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-247-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 50 A

Kaynaklar

Datasheet

GP3D050A120B PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok