Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GP3D030A120B
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GP3D030A120B
GP3D030A120B Hakkında
GP3D030A120B, SemiQ tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-247-2 paketinde sunulan bu komponent, 30A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Sıfır Reverse Recovery Time (trr) ile karakterize edilen bu diyot, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Maksimum forward voltajı 30A'da 1.7V olan komponent, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 175°C arası) kararlı performans gösterir. 1200V ters voltaj toleransı ve 60µA @ 1200V ters kaçak akımı ile güç elektroniği, güneş inverter, EV şarj sistemleri ve endüstriyel konvertör uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1762pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 30 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok