Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GP3D020A120B
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GP3D020A120B
GP3D020A120B Hakkında
GP3D020A120B, SemiQ tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters gerilim kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 20A ortalama doğrultma akımı ve 1.65V @ 20A forward voltajı ile verimli enerji yönetimi sağlar. TO-247-2 paketinde sunulan bu diyot, anahtarlamalı güç kaynakları, solar inverterleri, elektrikli araç şarj sistemleri ve endüstriyel konvertörlerde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, sıfır reverse recovery time özellikleri nedeniyle yüksek frekanslı devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1179pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 20 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok