Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GP3D010A120B
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GP3D010A120B
GP3D010A120B Hakkında
GP3D010A120B, SemiQ tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-247-2 paketinde sunulan bu bileşen, 10A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Sıfır reverse recovery time (trr) özellikleri sayesinde anahtarlama hızlı devrelerde enerji kaybını minimize eder. 1.65V forward voltage @ 10A ile düşük iletiş kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C) ve 1200V DC reverse voltage derecelemesi, güç kaynağı, invertör ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür. Through Hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 608pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok