Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GP3D010A120A
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO220
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GP3D010A120A
GP3D010A120A Hakkında
GP3D010A120A, SemiQ tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu doğrultucu diyot, 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 1.65V maksimum forward voltajı ve sıfır recovery time özellikleri sayesinde yüksek verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 1200V ters voltaj dayanımı ve 20µA ters sızıntı akımı ile güvenilir çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv güç elektroniği uygulamalarında, anahtarlamalı güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 608pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok