Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GP3D010A065B
SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-2
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GP3D010A
GP3D010A065B Hakkında
GP3D010A065B, SemiQ tarafından üretilen 650V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-247-2 paketinde sunulan bu komponent, 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. SiC teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time (trr) ile karakterize edilir ve 500mA'den üstünde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Forward voltajı 10A'de 1.6V olup, 650V ters voltaj dayanımına sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, güç kaynakları, invertör devreleri, motor sürücüleri ve yüksek frekanslı doğrultma uygulamalarında kullanılmaktadır. Düşük kapasite (419pF @ 1V) ve minimal kaçak akımı (25µA @ 650V) özellikleriyle verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 419pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok