Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GP3D010A065A
SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO220
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GP3D010A065A
GP3D010A065A Hakkında
GP3D010A065A, SemiQ tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim yeteneği ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paket tipinde sunulan bu bileşen, 1.6V ileri gerilim düşüşü ile verimliliği artırırken, sıfır reverse recovery time (trr) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen diyot, 419pF kapasitansi ile switching kayıplarını minimize eder. Endüstriyel güç kaynakları, PFC devreleri, inverterler ve motor sürücülerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 419pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok