Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GP2D010A120B
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GP2D010A120B
GP2D010A120B Hakkında
GP2D010A120B, SemiQ tarafından üretilen 1.2kV 10A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-247-2 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. 0 ns reverse recovery time özellikleriyle switcher güç kaynakları, invertör devreleri ve yüksek frekanslı doğrultma uygulamalarında tercih edilir. Maksimum forward voltajı 1.8V @ 10A ve maksimum reverse leakage akımı 20µA @ 1200V'dur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde düşük kapasite ve hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 635pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok