Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

GP2D006A065C

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
GP2D006A065C

GP2D006A065C Hakkında

GP2D006A065C, SemiQ tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters voltaj ve 6A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek frekans uygulamalarında düşük forward voltage düşüşü sağlar. TO-252-2 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve hızlı doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.65V forward voltage @ 6A ile verimli enerji dönüşümü sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 6A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 60 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-252-2L (DPAK)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.65 V @ 6 A

Kaynaklar

Datasheet

GP2D006A065C PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok