Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

GHXS100B120S-D3

SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 12

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
GHXS100B120S

GHXS100B120S-D3 Hakkında

GHXS100B120S-D3, SemiQ tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyot güç modülüdür. 1200V ters voltaj kapasitesi ve 198A ortalama doğrultulmuş akım ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. İki bağımsız diyot konfigürasyonuna sahip olan bu komponent, 0 ns ters kurtarma süresi (reverse recovery time) nedeniyle anahtarlama kayıplarını minimize eder. Chassis mount SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan modül, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 1.7V forward voltage @ 100A ile düşük iletim kaybı sağlar. Endüstriyel güç dönüştürücüler, enerji yönetimi sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 198A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 µA @ 1200 V
Diode Configuration 2 Independent
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 100 A

Kaynaklar

Datasheet

GHXS100B120S-D3 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok