Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

GHXS100B065S-D3

SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 65

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
GHXS100B065S

GHXS100B065S-D3 Hakkında

GHXS100B065S-D3, SemiQ tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky Barrier Diyot (SBD) güç modülüdür. 650V ters voltaj kapasitesine sahip bu komponent, 193A ortalama doğrultulmuş akım değeriyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2 bağımsız diyot konfigürasyonuna sahiptir. SOT-227-4 miniBLOC paketinde sunulan cihaz, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Sıfır ters kurtarma süresi (trr) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 100A'da 1.65V forward voltage değerine sahiptir. Endüstriyel güç sistemleri, invertörler, konvertörler ve yüksek frekanslı doğrultucu uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 193A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 250 µA @ 650 V
Diode Configuration 2 Independent
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.65 V @ 100 A

Kaynaklar

Datasheet

GHXS100B065S-D3 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok