Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
GHXS050B120S-D3
SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 12
- Üretici
- SemiQ
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- GHXS050B120S
GHXS050B120S-D3 Hakkında
GHXS050B120S-D3, SemiQ tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyot power modulüdür. 1200V ters voltaj kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Her diyot başına 101A ortalama doğrultulanmış akım kapasitesine sahiptir. İki bağımsız diyot konfigürasyonu ile paralel güç modülü olarak çalışır. 0ns reverse recovery time sayesinde anahtarlama hızlıdır. SOT-227-4 miniBLOC şasis monte paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel invertör, şarj cihazları, güç kaynakları ve yüksek frekans uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 101A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 50 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok