Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

GHXS050B065S-D3

SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 65

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
GHXS050B065S

GHXS050B065S-D3 Hakkında

GHXS050B065S-D3, SemiQ tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky Barrier Diyot (SBD) güç modülüdür. 2 bağımsız diyot konfigürasyonuna sahip bu komponent, 650V DC ters voltaj ve diyot başına 95A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Reverse Recovery Time'ı 0ns olan cihaz, 500mA üzerinde recovery time göstermez. Forward voltajı 50A'de maksimum 1.6V olan bu komponent, Chassis Mount montajı ile SOT-227-4 miniBLOC paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen GHXS050B065S-D3, ters kaçak akımı 650V'de 125µA'dir. Güç dönüştürme uygulamaları, endüstriyel invertörler ve hızlı anahtarlama devreleri gibi yüksek frekanslı doğrultma işlemlerinde tercih edilen bir modüldür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 95A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 125 µA @ 650 V
Diode Configuration 2 Independent
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6 V @ 50 A

Kaynaklar

Datasheet

GHXS050B065S-D3 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok