Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

GHXS015A120S-D3

DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227

Üretici
SemiQ
Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
GHXS015A120S

GHXS015A120S-D3 Hakkında

GHXS015A120S-D3, SemiQ tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyot (SBD) bileşenidir. 1200V ters yüksek voltaj kapasitesi ve 15A ortalama düzeltilmiş akım ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. İki bağımsız diyot yapısında sunulan bu bileşen, SOT-227-4 (miniBLOC) kasa türüne sahiptir ve şasi montajı için uygundur. 1.7V maksimum ileri voltaj düşüşü (15A'de) ve 100µA ters sızıntı akımı (1200V'de) ile verimli doğrultma işlevi gerçekleştirir. 500ns'den küçük veya buna eşit recovery time'ı ile hızlı anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, invertörler ve enerji dönüştürme sistemlerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışan junction sıcaklık aralığı geniş sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 15A
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 1200 V
Diode Configuration 2 Independent
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 15 A

Kaynaklar

Datasheet

GHXS015A120S-D3 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok