Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
GES5816
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- GES5816
GES5816 Hakkında
GES5816, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar transistörüdür. 750mA maksimum kolektör akımı ve 500mW güç tüketimi kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 120MHz geçiş frekansı (fT) ile orta frekanslı devreler için uygundur. -55°C ile +135°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır. TO-92 pinlemesi ile kompakt tasarımlar gerektiren cihazlarda tercih edilir. Düşük giriş empedansı ve 100 (minimum) DC akım kazancı sayesinde sinyal kuvvetlendirme ve dijital devre uygulamalarında değerlendirilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 750 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2mA, 2V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok