Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
GE2X8MPS06D
650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- GE2X8MPS06D
GE2X8MPS06D Hakkında
GE2X8MPS06D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 650V Silicon Carbide Schottky diyot dizisidir. Ortak katot konfigürasyonunda iki diyottan oluşan bu bileşen, 16A ortalama doğrultulanmış akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paket tipinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. SiC Schottky teknolojisi sayesinde 500mA üzerinde geri kazanım süresi yoktur. 650V maksimum ters voltaj derecelendirmesi ile güç elektronikleri uygulamalarında, inverter devreleri, AC/DC dönüştürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 19A (DC) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok