Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
GE17042CCA3
1700V 425A SIC HALF-BRIDGE MODUL
- Üretici
- General Electric
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- GE17042CCA3
GE17042CCA3 Hakkında
GE17042CCA3, General Electric tarafından üretilen 1700V 425A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) tabanlı Half-Bridge MOSFET modülüdür. İki adet N-Channel FET içeren bu modül, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirmek üzere tasarlanmıştır. 425A sürekli drenaj akımı, 1700V drenaj-kaynak gerilimi ve 4.45mOhm RDS(on) değeriyle, endüstriyel güç dönüştürme, sürücü sistemleri, UPS cihazları, renewable energy inverters ve yüksek güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. Chassis mount konfigürasyonunda sunulan modül, 175°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklılık sağlar ve maksimum 1250W güç dağıtımı yapabilir. Düşük gate charge değeri (18V @ Vgs) sayesinde hızlı anahtarlama performansı ve enerji verimliliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 425A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29100pF @ 900V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.45mOhm @ 425A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok