Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
GE17042BCA3
1700V 425A SIC DUAL MODULE
- Üretici
- General Electric
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- GE17042BCA3
GE17042BCA3 Hakkında
GE17042BCA3, General Electric tarafından üretilen 1700V 1.7kV yüksek voltaj Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı çift N-Channel MOSFET modülüdür. 425A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanan bu komponent, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, elektriksel araç motor sürücülerinde, yüksek frekanslı anahtarlama güç kaynakları ve fotovoltaik sistemlerde kullanılır. Düşük 4.45mOhm RDS(on) değeri ile ısıl kayıpları minimize ederken, 18V gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 175°C işletme sıcaklığı ve 1250W güç kapasitesi ile yoğun endüstriyel ortamlarda çalışmaya uygun, şasi montajı için tasarlanmış modüler pakettir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 425A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29100pF @ 900V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.45mOhm @ 425A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok