Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
GE12047CCA3
1200V 475A SIC HALF-BRIDGE MODUL
- Üretici
- General Electric
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- GE12047CCA3
GE12047CCA3 Hakkında
GE12047CCA3, General Electric tarafından üretilen 1200V 475A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge MOSFET modülüdür. İki adet N-Channel transistörden oluşan bu yarım köprü yapısı, yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 1248nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. 1250W maksimum güç kapasitesi ile trafolar, invertörler, motor sürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu modül, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Chassis mount yapısı ile kolay entegrasyon sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 475A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1248nC @ 18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29.3nF @ 600V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (Tc) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok