Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
GE12047BCA3
1200V 475A SIC DUAL MODULE
- Üretici
- General Electric
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- GE12047BCA3
GE12047BCA3 Hakkında
GE12047BCA3, General Electric tarafından üretilen 1200V 475A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) dual MOSFET modülüdür. İki bağımsız FET içeren bu komponent, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.4mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Maksimum 1250W güç yönetebilen modül, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Chassis mount tipi kasa ile soğutma sistemlerine kolay entegrasyon mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 475A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 Independent |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1248nC @ 18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29.3nF @ 600V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (Tc) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok