Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GE10MPS06E
650V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GE10MPS06E
GE10MPS06E Hakkında
GE10MPS06E, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 650V 10A kapasiteli Silicon Carbide Schottky doğrultma diyotudur. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 26A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen GE10MPS06E, recovery time'ı 500mA üzerinde bulunmayan hızlı anahtarlamaya uygun tasarımlanmıştır. 1V ve 1MHz'de 466pF kapasitans değerine sahip bu Schottky diyot, düşük forward voltage düşüşü gerektiren anahtarlamalı güç kaynakları, sürücü devreleri ve yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde daha verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 466pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 26A (DC) |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok