Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GE08MPS06E
650V 8A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GE08MPS06E
GE08MPS06E Hakkında
GE08MPS06E, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 650V Silicon Carbide Schottky doğrultucu diyottur. TO-252-3 (DPak) Surface Mount paketi ile sunulan bu bileşen, 8A nominal akım kapasitesine ve 21A ortalama doğrultulmuş akıma sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, invertörler ve yüksek frekanslı doğrultma devrelerinde kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde düşük ters kurtarma zamanı ve düşük ileri gerilim düşüşü sunar. 1MHz'de 373pF kapasitans değerine sahip olması, yüksek hızlı anahtarlama işlemleri için uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 373pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 21A (DC) |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok