Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GE06MPS06E
650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GE06MPS06E
GE06MPS06E Hakkında
GE06MPS06E, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 650V 6A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında düşük ileriye doğru düşüş voltajı ve sıfır geri kazanım zamanı ile karakterize edilir. 17A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. 1V, 1MHz'de 279pF kapasitansı bulunmaktadır. Güç dönüştürücüler, invertörler, UPS sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu SiC Schottky diyot, düşük statik kayıp ve hızlı anahtarlama özelliği ile verimli güç yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 279pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 17A (DC) |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok