Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GE04MPS06A
650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GE04MPS06A
GE04MPS06A Hakkında
GE04MPS06A, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 650V 650 Volt Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-220-2 paket ile sunulan bu bileşen, düşük ön gerilim düşüşü (1.35V @ 4A) ve sıfır reverse recovery time (trr) özellikleri ile yüksek verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 9A ortalama doğrultlanmış akım kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), invertörler, UPS sistemleri ve elektrikli araç şarj cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir. Schottky yapısı nedeniyle klasik silikon diyotlarına kıyasla daha düşük kapasitif ve dirençli kayıplar sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 186pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 9A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok