Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GD50MPS12H
1200V 50A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GD50MPS12H
GD50MPS12H Hakkında
GD50MPS12H, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 50A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-247-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı doğrultma uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 92A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 1.8V maksimum ileri voltaj düşümü (-55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında) ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Sıfır geri kazanım süresi (trr = 0 ns) sayesinde anahtarlama kayıpları minimize edilir. Through-hole montajı ile standart PCB uygulamalarına entegrasyonu uygundur. Güç kaynakları, invertörler, solar sistemler ve endüstriyel konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1.835nF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 92A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 50 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok