Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GD30MPS12J
1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GD30MPS12J
GD30MPS12J Hakkında
GD30MPS12J, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 30A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 0 ns geri kazanım süresi (reverse recovery time) özellikleri sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 175°C'ye kadar çalışabilen junction sıcaklığı ile güç dönüştürme sistemleri, invertörler, PFC (Power Factor Correction) devreleri ve solar uygulamalarında tercih edilir. SiC teknolojisi ile düşük statik direnç ve minimal anahtarlama kayıpları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A (DC) |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok