Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

GD2X50MPS12N

1200V 100A SOT-227 SIC SCHOTTKY

Paket/Kılıf
SOT-227-4
Seri / Aile Numarası
GD2X50MPS12N

GD2X50MPS12N Hakkında

GD2X50MPS12N, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyot dizisidir. SOT-227-4 (miniBLOC) chassis mount pakette sunulan bu bileşen, 2 bağımsız diyot konfigürasyonuna sahiptir. 76A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine ve 1.8V maksimum ileri gerilim düşüşüne (50A'de) sahiptir. Sıfır reverse recovery time (trr) özelliği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu diyot, güç elektroniği uygulamalarında, inverter devrelerde, PFC (Power Factor Correction) uygulamalarında ve yüksek frekans anahtarlama devrelerde kullanılır. 15µA @ 1200V ters sızıntı akımı ile düşük kaçak akıma sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 76A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 15 µA @ 1200 V
Diode Configuration 2 Independent
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 50 A

Kaynaklar

Datasheet

GD2X50MPS12N PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok