Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
GD2X30MPS12N
1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- GD2X30MPS12N
GD2X30MPS12N Hakkında
GD2X30MPS12N, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 60A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyot dizisidir. SOT-227-4 miniBLOC paketinde sunulan bu komponent, 2 bağımsız diyot yapılandırması içerir. Ortalama doğrultulmuş akım değeri diode başına 52A (DC) olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. SiC Schottky teknolojisi sayesinde geri kazanım zamanı 500mA Io'da yoktur. Şasiye montajlı tasarımıyla güç elektronikleri uygulamalarında, invertör devreleri ve yüksek frekanslı doğrultucu uygulamalarında kullanılır. 1200V ters gerilim sınırlandırması ile yüksek voltajlı endüstriyel sistemler için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 52A (DC) |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok