Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
GD2X30MPS12D
DIODE SCHOTTKY 1200V 2X30A TO-24
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- GD2X30MPS12D
GD2X30MPS12D Hakkında
GD2X30MPS12D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyot türü elektronik komponenttir. 1200V ters voltaj kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Bileşen, Common Cathode konfigürasyonda sıralanmış iki diyottan oluşur ve her diyot 30A ortalama doğrultulmuş akım taşıyabilir. 1.8V maksimum ileri voltaj düşüşü ile verimli güç dönüşümü sağlar. Fast Recovery özelliği ile ≤500ns anahtarlama hızına sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, endüstriyel güç kaynakları, enerji dönüştürücüler ve yüksek frekanslı şalter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, Through Hole montaj tekniğiyle PCB'ye monte edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 55A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 30 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok