Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

GD25MPS17H

1700V 25A TO-247-2 SIC SCHOTTKY

Paket/Kılıf
TO-247-2
Seri / Aile Numarası
GD25MPS17H

GD25MPS17H Hakkında

GD25MPS17H, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1700V rated Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-247-2 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 25A ileriye doğru akım ve 60A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanan diyot, 1.8V ileri gerilim düşüşü sağlar. SIC Schottky teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time özelliğine sahip olup, 500mA üzerindeki akım seviyelerinde geri kazanım süresi bulunmamaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, ters kaçak akımı 1700V'de 5µA olarak sınırlandırılmıştır. Enerji dönüştürme sistemleri, invertörler ve yüksek voltaj güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 1.083nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 60A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 1700 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-247-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 25 A

Kaynaklar

Datasheet

GD25MPS17H PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok