Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GD10MPS12E
1200V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GD10MPS12E
GD10MPS12E Hakkında
GD10MPS12E, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında hızlı doğrultma işlevi görür. 1.8V forward voltage @ 10A ile düşük enerji kaybı sağlar. Reverse recovery time'ı 0ns olup, 500mA üzeri akımlarda hiç geri kazanım süresi göstermez. -55°C ile 175°C aralığında çalışabilen bu diyot, güç dönüştürücüler, inverter devreleri ve yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. 5µA @ 1200V reverse leakage current ile minimal statik kayıp özelliği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 367pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 29A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok