Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GD10MPS12A
1200V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GD10MPS12A
GD10MPS12A Hakkında
GD10MPS12A, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/10A Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-220-2 paketinde sunulan bu diyot, düşük forward voltage düşüşü (1.8V @ 10A) ve sıfır reverse recovery time özelliğine sahiptir. Maksimum 25A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, invertörler, PFC devreleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 367pF kapasitanslı yapısı ile hızlı anahtarlama ve düşük EMI karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 367pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok