Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GD02MPS12E
1200V 2A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GD02MPS12E
GD02MPS12E Hakkında
GD02MPS12E, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V kapasitesi olan Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 2A nominal ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 1.8V maksimum forward voltajında (2A'da) çalışır ve -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığında kullanılabilir. Sıfır recovery time özelliği sayesinde anahtarlama kayıpları minimize edilmiş, yüksek frekanslı uygulamalarda verim artışı sağlanır. Ters kaçak akımı 1200V'da 5µA olarak belirtilmiştir. Güç kaynakları, inverter uygulamaları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 73pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok