Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

GC50MPS12-247

SIC DIODE 1200V 50A TO-247-2

Paket/Kılıf
TO-247-2
Seri / Aile Numarası
GC50MPS12

GC50MPS12-247 Hakkında

GC50MPS12-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 50A kapasitesinde bir Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-247-2 kılıfında sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görür. 1.8V maksimum ileri voltaj düşüşü ve 0ns geri kazanım süresi (reverse recovery time) ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Maksimum 40µA ters sızıntı akımı ve geniş -55°C~175°C çalışma sıcaklık aralığı ile sunulan bu diyot, enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları, invertörler ve yüksek frekanslı anahtarlamalı devreler gibi uygulamalarda kullanılır. Through-hole montajı sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına kolayca entegre edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 212A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 1200 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-247-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 50 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok