Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GC15MPS12-220
SIC DIODE 1200V 15A TO-220-2
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GC15MPS12
GC15MPS12-220 Hakkında
GC15MPS12-220, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu diyot, yüksek gerilim uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 15A nominal akım kapasitesi ile tasarlanan bileşen, 1.8V forward voltage ve sıfır reverse recovery time özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. SiC teknolojisi sayesinde düşük enerji kaybı ve yüksek verimlilik sağlayan bu diyot, elektrik çeviricide, güç yönetimi sistemlerinde ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 14 µA reverse leakage current değeri ile kontrollü geri akım karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1089pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 82A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 14 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 15 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok