Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GC10MPS12-252
SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GC10MPS12
GC10MPS12-252 Hakkında
GC10MPS12-252, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 10A Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) kasa içinde sunulan bu bileşen, maksimum 1.8V ileri voltaj düşüşü ve 10µA ters sızıntı akımı özelliklerine sahiptir. Sıfır geri kazanım zamanı (trr=0ns) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 50A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı ile güç elektronikleri, inverter, AC/DC dönüştürücü ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Surface mount montajı ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 660pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 50A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok