Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GC08MPS12-252
SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GC08MPS12
GC08MPS12-252 Hakkında
GC08MPS12-252, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/8A Silicon Carbide Schottky diyottur. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi gerçekleştirir. 1.8V ileri gerilim düşümü ve sıfır reverse recovery time karakteristiği ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç elektroniği, invertörler, solar PV sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 40A DC ortalama doğrultma akımı kapasitesiyle ve 7µA ters sızıntı akımı ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 545pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 40A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 7 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok