Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GC05MPS12-252
SIC DIODE 1200V 5A TO-252-2
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GC05MPS12
GC05MPS12-252 Hakkında
GC05MPS12-252, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu komponent, 5A ileri akım ve 27A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 1.8V maksimum ileri gerilim düşümü ve 4µA ters sızıntı akımı ile verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time (trr = 0ns) özelliği sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, güç kaynakları, PFC devreler ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 359pF kapasitans değeri yüksek frekans uygulamalarında stabilite sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 359pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 27A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 4 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok