Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GC02MPS12-220
SIC DIODE 1200V 2A TO-220-2
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GC02MPS12
GC02MPS12-220 Hakkında
GC02MPS12-220, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-220-2 paketinde sunulan bu komponent, 2A forward akım ve 12A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Sıfır reverse recovery time (trr) özellikleriyle yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.8V forward voltaj düşüşü ve 2µA reverse leakage akımı ile enerji tasarrufu sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu diyot, güç kaynakları, solar inverterleri, elektrikli araç şarj sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 127pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok