Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB50SLT12-247
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB50SLT12
GB50SLT12-247 Hakkında
GB50SLT12-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV/50A Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-247-2 paketinde sunulan bu diyot, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında doğrultma işlevi görür. 1.8V forward voltage @ 50A ile karakterize edilen bu bileşen, reverse recovery time'ı olmayan özelliktedir. Maksimum 1 mA reverse leakage current @ 1200V ve 2940pF kapasitans @ 1V ile belirtilmiştir. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu diyot, güç kaynakları, invertörler, DC-DC konvertörleri ve güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan lehimlenir. Part status 'Not For New Designs' olup, yeni tasarımlar için yerini daha güncel alternatiflere bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 2940pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 50A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 50 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok