Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB50MPS17-247
SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB50MPS17
GB50MPS17-247 Hakkında
GB50MPS17-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1700V/50A Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-247-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görür. SiC (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı yapısı sayesinde sıfır reverse recovery time (trr) özelliğine sahiptir, bu da anahtarlama kaybını en aza indirir. 1.8V @ 50A forward voltage ile karakterize edilen diyot, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. TO-247-2 through-hole montajı endüstriyel güç dönüştürme, solar inverter, elektrik araçları ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 60µA @ 1700V ters kaçak akımı ve düşük kapasitans değerleri (3193pF @ 1V) ile özellikle anahtarlama hızı gerektiren devreler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 3193pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 216A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 1700 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 50 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok