Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
GB2X50MPS12-227
SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- GB2X50MPS12
GB2X50MPS12-227 Hakkında
GB2X50MPS12-227, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 100A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyot çiftidir. SOT-227-4 (miniBLOC) paket tipi ile chassis mount uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. İki bağımsız diyot konfigürasyonuna sahip olan bileşen, 93A ortalama doğrultulmuş akım ve 1.8V maksimum forward gerilim (50A'de) karakteristikleri ile power dönüşüm devrelerinde yüksek verimlilik sağlar. 0 ns reverse recovery time özellikleri ile anahtarlama hızı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışmakta olan komponent, endüstriyel invertör, kaynak cihazı, motor sürücü ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 93A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 50 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok