Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB25MPS17-247
SIC DIODE 1700V 25A TO-247-2
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB25MPS17
GB25MPS17-247 Hakkında
GB25MPS17-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1700V, 25A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-247-2 paketinde sunulan bu bileşen, 110A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Sıfır reverse recovery time (trr = 0 ns) özelliği sayesinde anahtarlamalı güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, 1.8V forward voltage düşüşü ile düşük ısıl kayıplar sunar. Through-hole montajlı tasarımı endüstriyel uygulamalarda kullanıma uygundur. Enerji dönüşüm sistemleri, elektrik araç şarj cihazları ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1596pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 110A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 1700 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 25 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok