Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB20SLT12-247
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247AC
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB20SLT12
GB20SLT12-247 Hakkında
GB20SLT12-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV 20A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-247-2 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 2V maksimum forward voltaj ve sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde enerji dönüşüm sistemlerinde, solar inverterlerinde ve endüstriyel güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan cihaz, düşük ısıl dirençle verimli performans sunmaktadır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 968pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 20 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok