Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
GB10SLT12-252
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GB10SLT12
GB10SLT12-252 Hakkında
GB10SLT12-252, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV 10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu diyot, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük ön voltaj düşüşü sağlar. Reverse recovery time'ı 0 ns olup, 500mA üzerindeki akımlarda geri kazanım zamanı yoktur. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, AC/DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. Bileşen üretim sonlandırılmış (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok