Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
GB10SLT12-247D
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- GB10SLT12
GB10SLT12-247D Hakkında
GB10SLT12-247D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1.2kV/12A Silicon Carbide Schottky diyot çiftidir. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, ortak katot konfigürasyonuna sahiptir. Fast recovery karakteristiği (≤500ns @ >200mA) ile yüksek frekanslı güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 1.9V forward voltaj @ 5A ve 50µA ters sızıntı akımı @ 1200V özellikleri ile verimli doğrultma sağlar. -55°C ~ 175°C junction sıcaklık aralığında çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler ve UPS sistemlerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok